MSC2712GT1G ON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC2712GT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції MSC2712GT1G за ціною від 1.86 грн до 20.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSC2712GT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MSC2712GT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MSC2712GT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MSC2712GT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MSC2712GT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 35790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MSC2712GT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN |
на замовлення 17789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MSC2712GT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 721806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MSC2712GT1G | Виробник : ON | 05+ SOT-23 |
на замовлення 228000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MSC2712GT1G | Виробник : ON | 09+ |
на замовлення 150018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MSC2712GT1G | Виробник : ON | SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MSC2712GT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MSC2712GT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |