![MSC080SMA330B4 MSC080SMA330B4](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/3997280-40.jpg)
MSC080SMA330B4 MICROCHIP
![3743119.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 3.3 kV, 0.084 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 381W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9336.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC080SMA330B4 MICROCHIP
Description: MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V, Power Dissipation (Max): 381W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V.
Інші пропозиції MSC080SMA330B4 за ціною від 8692.47 грн до 9788.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MSC080SMA330B4 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V Power Dissipation (Max): 381W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
MSC080SMA330B4 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||||||||
MSC080SMA330B4 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||||||||
MSC080SMA330B4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 26A; Idm: 100A; 381W Technology: SiC Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Power dissipation: 381W Gate charge: 55nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 3.3kV Drain current: 26A On-state resistance: 0.105Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
MSC080SMA330B4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 26A; Idm: 100A; 381W Technology: SiC Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Power dissipation: 381W Gate charge: 55nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 3.3kV Drain current: 26A On-state resistance: 0.105Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товар відсутній |