![MSC017SMA120B MSC017SMA120B](https://media.digikey.com/Photos/Microsemi%20Photos/MSC050SDA120B-front.jpg)
MSC017SMA120B Microchip Technology
![1245210-msc017sma120b-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3552.73 грн |
25+ | 3154.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC017SMA120B Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 455W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ), Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSC017SMA120B за ціною від 2377.17 грн до 4738.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MSC017SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MSC017SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MSC017SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MSC017SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MSC017SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MSC017SMA120B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 80A; Idm: 280A; 455W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 80A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 455W Case: TO247-3 On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 249nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MSC017SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MSC017SMA120B | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MSC017SMA120B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 80A; Idm: 280A; 455W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 80A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 455W Case: TO247-3 On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 249nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |