MSA1162GT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.83 грн |
| 6000+ | 1.67 грн |
| 9000+ | 1.42 грн |
| 30000+ | 1.23 грн |
| 75000+ | 1.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSA1162GT1G onsemi
Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MSA1162GT1G за ціною від 0.77 грн до 11.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSA1162GT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MSA1162GT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 58238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MSA1162GT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MSA1162GT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 58238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MSA1162GT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 149052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MSA1162GT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP |
на замовлення 9288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MSA1162GT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
MSA1162GT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
MSA1162GT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
MSA1162GT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |