MRFE6VP61K25HR6 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 13954.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP61K25HR6 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.333kW, Bauform - Transistor: NI-1230H-4S, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRFE6VP61K25HR6 за ціною від 12836.01 грн до 20485.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRFE6VP61K25HR6 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRFE6VP61K25HR6 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 1.333kW Bauform - Transistor: NI-1230H-4S Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRFE6VP61K25HR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRFE6VP61K25HR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MRFE6VP61K25HR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MRFE6VP61K25HR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRFE6VP61K25HR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
MRFE6VP61K25HR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
MRFE6VP61K25HR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
товар відсутній |