MRFE6VP5600HR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 11274.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP5600HR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFE6VP5600HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.667kW, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 225°C.
Інші пропозиції MRFE6VP5600HR5 за ціною від 10019.38 грн до 12894.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRFE6VP5600HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MRFE6VP5600HR5 | Виробник : NXP |
 Description: NXP - MRFE6VP5600HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 1.667kW Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 225°C |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MRFE6VP5600HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230H |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MRFE6VP5600HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
товар відсутній |
|||||||||
 |
MRFE6VP5600HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
MRFE6VP5600HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
товар відсутній |