MRFE6VP5150GNR1

MRFE6VP5150GNR1 NXP Semiconductors


974572023167051mrfe6vp5150n.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2250.92 грн
10+ 2214.58 грн
25+ 2178.23 грн
100+ 2065.4 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFE6VP5150GNR1 NXP Semiconductors

Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 139V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 952W, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 952W, Bauform - Transistor: TO-270WBG, Bauform - HF-Transistor: TO-270WB, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MRFE6VP5150GNR1 за ціною від 1985.99 грн до 2810.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150GNR1 Виробник : NXP FSCLS11843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2377.87 грн
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150GNR1 Виробник : NXP FSCLS11843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 952W
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+2377.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150GNR1 Виробник : NXP Semiconductors 974572023167051mrfe6vp5150n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+2424.07 грн
10+ 2384.93 грн
25+ 2345.79 грн
100+ 2224.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150GNR1 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270BB
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 150W
Gain: 26.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2810.29 грн
10+ 2524.35 грн
25+ 2418.55 грн
100+ 2056.92 грн
250+ 1985.99 грн
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150GNR1 Виробник : NXP Semiconductors 974572023167051mrfe6vp5150n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
товар відсутній
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150GNR1 Виробник : NXP Semiconductors 974572023167051mrfe6vp5150n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
товар відсутній
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150GNR1 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BB
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 150W
Gain: 26.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товар відсутній
MRFE6VP5150GNR1 Виробник : NXP Semiconductors MRFE6VP5150N-3139669.pdf RF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
товар відсутній