MRFE6VP100HR5

MRFE6VP100HR5 NXP USA Inc.


Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 100W
Gain: 26dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+9461.96 грн
10+ 8681.02 грн
25+ 8496.34 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFE6VP100HR5 NXP USA Inc.

Description: NXP - MRFE6VP100HR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MRFE6VP100HR5 за ціною від 7556.42 грн до 12857.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HR5 Виробник : NXP Semiconductors MRFE6VP100H-3138794.pdf RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
на замовлення 40 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+10135.2 грн
10+ 9247.6 грн
25+ 7749 грн
50+ 7556.42 грн
MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HR5 Виробник : NXP Semiconductors mrfe6vp100h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+11913.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HR5 Виробник : NXP Semiconductors mrfe6vp100h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+12857.6 грн
5+ 11752.65 грн
10+ 11149.95 грн
25+ 10558.01 грн
MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HR5 Виробник : NXP Semiconductors 12562019679836mrfe6vp100h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
товар відсутній
MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HR5 Виробник : NXP Semiconductors mrfe6vp100h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
товар відсутній
MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HR5 Виробник : NXP Semiconductors mrfe6vp100h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
товар відсутній
MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HR5 Виробник : NXP PHGL-S-A0001726626-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - MRFE6VP100HR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товар відсутній
MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HR5 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 100W
Gain: 26dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товар відсутній