![MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HR5](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/950/MFG_568%3B-SOT1827-1%3B-H%3B-4.jpg)
MRFE6VP100HR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 100W
Gain: 26dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 100W
Gain: 26dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9461.96 грн |
10+ | 8681.02 грн |
25+ | 8496.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFE6VP100HR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFE6VP100HR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRFE6VP100HR5 за ціною від 7556.42 грн до 12857.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MRFE6VP100HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
MRFE6VP100HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
MRFE6VP100HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
MRFE6VP100HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
MRFE6VP100HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
MRFE6VP100HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
MRFE6VP100HR5 | Виробник : NXP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
MRFE6VP100HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 100W Gain: 26dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |