Продукція > MRF > MRF7S21170HSR3

MRF7S21170HSR3


MRF7S21170H.pdf Виробник:

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF7S21170HSR3

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-880S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.17GHz, Power - Output: 50W, Gain: 16dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-880S, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.4 A.

Інші пропозиції MRF7S21170HSR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MRF7S21170HSR3 MRF7S21170HSR3 Виробник : NXP Semiconductors 11313070591691mrf7s21170h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-880S T/R
товар відсутній
MRF7S21170HSR3 Виробник : NXP Semiconductors 11313070591691mrf7s21170h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-880S T/R
товар відсутній
MRF7S21170HSR3 Виробник : NXP USA Inc. MRF7S21170H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-880S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 50W
Gain: 16dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880S
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
товар відсутній