MRF6VP11KHR5 NXP Semiconductors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF6VP11KHR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230S-4 GW, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 130MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1000W, Gain: 26dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230S-4 GULL, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 150 mA.
Інші пропозиції MRF6VP11KHR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF6VP11KHR5 Код товару: 47840 |
 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||
 |
MRF6VP11KHR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R |
товар відсутній |
|
 |
MRF6VP11KHR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230S-4 GW Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 130MHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 26dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230S-4 GULL Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA |
товар відсутній |
|
|
|
MRF6VP11KHR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230S-4 GW Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 130MHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 26dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230S-4 GULL Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA |
товар відсутній |