MRF6V12250HR5 NXP Semiconductors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30105.09 грн |
| 10+ | 28721.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF6V12250HR5 NXP Semiconductors
Description: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-957A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.03GHz, Power - Output: 275W, Gain: 20.3dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MRF6V12250HR5 за ціною від 39365.58 грн до 55755.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V12250HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 100V 3-Pin Case 465-06 T/R |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
MRF6V12250HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 100V 3-Pin Case 465-06 T/R |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
MRF6V12250HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 100V 3-Pin Case 465-06 T/R |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
MRF6V12250HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 100V 3-Pin Case 465-06 T/R |
товар відсутній |
|||||
|
|
MRF6V12250HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 100V 3-Pin Case 465-06 T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
MRF6V12250HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 275W Gain: 20.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |
|||||
|
|
MRF6V12250HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 275W Gain: 20.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |