MRF6S19200HR5 Freescale Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 9796.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF6S19200HR5 Freescale Semiconductor
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S19200HR5 - HF-FET-Transistor, 66 VDC, 1.93 GHz, 1.99 GHz, NI-780, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 66VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 1.99GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.93GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: -W, Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRF6S19200HR5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MRF6S19200HR5 | Виробник : NXP (VIA ROCHESTER) |
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S19200HR5 - HF-FET-Transistor, 66 VDC, 1.93 GHz, 1.99 GHz, NI-780 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 66VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 1.99GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.93GHz euEccn: TBC Verlustleistung: -W Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
MRF6S19200HR5 | Виробник : Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 1.99GHZ NI780 |
товар відсутній |