MRF6S19140HSR5 Freescale Semiconductor
![FSCLS03482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-880S
Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz
Power - Output: 29W
Gain: 16dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.15 A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 8017.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF6S19140HSR5 Freescale Semiconductor
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S19140HSR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1.93 GHz, 1.99 GHz, NI-880S, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 1.99GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.93GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: -W, Bauform - Transistor: NI-880S, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRF6S19140HSR5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MRF6S19140HSR5 |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
MRF6S19140HSR5 | Виробник : NXP (VIA ROCHESTER) |
![]() tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 1.99GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.93GHz euEccn: TBC Verlustleistung: -W Bauform - Transistor: NI-880S Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |