MRF5S19150HSR5 Freescale Semiconductor


Виробник: Freescale Semiconductor
Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-880S
Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz
Power - Output: 32W
Gain: 14dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880S
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+8958.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF5S19150HSR5 Freescale Semiconductor

Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19150HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 427 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-880, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: 427W, Bauform - Transistor: NI-880, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MRF5S19150HSR5 за ціною від 13745.75 грн до 13745.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MRF5S19150HSR5 Виробник : NXP (VIA ROCHESTER) 4158986.pdf Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19150HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 427 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-880
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 2GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: NI-880
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+13745.75 грн
Мінімальне замовлення: 50