MRF5S19100HSR5 Freescale Semiconductor


Виробник: Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S
Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz
Power - Output: 22W
Gain: 13.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1 A
на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+4562.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF5S19100HSR5 Freescale Semiconductor

Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19100HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-780S, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: 269W, Bauform - Transistor: NI-780S, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MRF5S19100HSR5 за ціною від 7071.89 грн до 7071.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MRF5S19100HSR5 Виробник : NXP (VIA ROCHESTER) 4158985.pdf Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19100HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-780S
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 2GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: 269W
Bauform - Transistor: NI-780S
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+7071.89 грн
Мінімальне замовлення: 50