MRF5P21180HR5 Freescale Semiconductor
Виробник: Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-1230
Frequency: 2.16GHz
Power - Output: 38W
Gain: 14dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.6 A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 9664.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF5P21180HR5 Freescale Semiconductor
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5P21180HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 530 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-1230, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz, Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: 530W, Bauform - Transistor: NI-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRF5P21180HR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF5P21180HR5 |
|
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| MRF5P21180HR5 | Виробник : NXP (VIA ROCHESTER) |
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5P21180HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 530 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-1230 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz euEccn: TBC Verlustleistung: 530W Bauform - Transistor: NI-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |