MRF300BN

MRF300BN NXP Semiconductors


mrf300an.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3248.04 грн
10+ 3110.25 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF300BN NXP Semiconductors

Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MRF300BN за ціною від 2821.19 грн до 4290.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MRF300BN MRF300BN Виробник : NXP Semiconductors mrf300an.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+3497.89 грн
10+ 3349.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
MRF300BN MRF300BN Виробник : NXP USA Inc. MRF300AN.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 27MHz ~ 250MHz
Power - Output: 300W
Gain: 18.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Voltage - Test: 50 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3777.69 грн
10+ 3393.97 грн
30+ 3251.66 грн
MRF300BN MRF300BN Виробник : NXP 2645212.pdf Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3840 грн
5+ 3638.4 грн
10+ 3436 грн
50+ 2998.17 грн
MRF300BN MRF300BN Виробник : NXP Semiconductors MRF300AN-1381586.pdf RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3915.39 грн
10+ 3591.28 грн
25+ 3003.04 грн
100+ 2821.91 грн
240+ 2821.19 грн
MRF300BN MRF300BN Виробник : NXP Semiconductors mrf300an.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+4290.83 грн
5+ 4005.46 грн
10+ 3475.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
MRF300BN MRF300AN.pdf
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
MRF300BN MRF300BN Виробник : NXP Semiconductors mrf300an.pdf Trans RF FET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MRF300BN MRF300BN Виробник : NXP Semiconductors mrf300an.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній