MRF24G300HSR5 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors RF Power GaN Transistor, 300 W CW over 2400-2500 MHz, 50 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10586.4 грн |
| 10+ | 9911.91 грн |
| 25+ | 8364.01 грн |
| 50+ | 8311.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF24G300HSR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Power - Output: 300W, Gain: 15.3dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V.
Інші пропозиції MRF24G300HSR5 за ціною від 8951.85 грн до 14630 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF24G300HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET 125V 5-Pin CFMF T/R |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| MRF24G300HSR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz Configuration: 2 N-Channel (Dual) Power - Output: 300W Gain: 15.3dB Technology: GaN Supplier Device Package: NI-780S-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MRF24G300HSR5 | Виробник : NXP |
Транз. пол. ВЧ БМ 2,4 to 2,5 GHz 300 W RF power GaN Transistor |
на замовлення 19 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MRF24G300HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET 125V T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
| MRF24G300HSR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz Configuration: 2 N-Channel (Dual) Power - Output: 300W Gain: 15.3dB Technology: GaN Supplier Device Package: NI-780S-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V |
товар відсутній |