MRF24300NR3

MRF24300NR3 NXP Semiconductors


MRF24300N-1127238.pdf Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2450 MHz, 300 W, 32 V
на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF24300NR3 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780-2, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.45GHz, Power - Output: 330W, Gain: 13.1dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-780-2, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 100 mA.

Інші пропозиції MRF24300NR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MRF24300NR3 MRF24300NR3 Виробник : NXP Semiconductors 108924109658717mrf24300n.pdfwt_assetdocumentationwt_file_format.pdf Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin OM-780 EP T/R
товар відсутній
MRF24300NR3 MRF24300NR3 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-780-2
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.45GHz
Power - Output: 330W
Gain: 13.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780-2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 100 mA
товар відсутній
MRF24300NR3 MRF24300NR3 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-780-2
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.45GHz
Power - Output: 330W
Gain: 13.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780-2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 100 mA
товар відсутній