MRF1K50NR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 23dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
Voltage - Test: 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 11226.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF1K50NR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRF1K50NR5 - HF-FET-Transistor, 133 V, 2.941 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, OM-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 500MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.941kW, Bauform - Transistor: OM-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MRF1K50N, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRF1K50NR5 за ціною від 10017.26 грн до 20583.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRF1K50NR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: OM-1230-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz Power - Output: 1500W Gain: 23dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 50 V Voltage - Test: 50 V |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MRF1K50NR5 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRF1K50NR5 - HF-FET-Transistor, 133 V, 2.941 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, OM-1230 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 500MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 2.941kW Bauform - Transistor: OM-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MRF1K50N productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MRF1K50NR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MRF1K50NR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case OM-1230 L T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MRF1K50NR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case OM-1230 L T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
MRF1K50NR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case OM-1230 L T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
MRF1K50NR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin Case OM-1230 L T/R |
товар відсутній |