MRF101BN NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1662.94 грн |
| 5+ | 1598.73 грн |
| 10+ | 1533.71 грн |
| 50+ | 1360.01 грн |
| 100+ | 1122.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF101BN NXP
Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MRF101BN за ціною від 1117.23 грн до 1878.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF101BN | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Current Rating (Amps): 10µA Frequency: 1.8MHz ~ 250MHz Power - Output: 115W Gain: 21.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MRF101BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MRF101BN | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MRF101BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MRF101BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |