Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2233LT1G
MMUN2233LT1G

MMUN2233LT1G ON Semiconductor

dtc143z-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2233LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMUN2233LT1G за ціною від 0.78 грн до 11.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.26 грн
6000+ 0.96 грн
12000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8983+1.35 грн
11719+ 1.03 грн
14019+ 0.86 грн
Мінімальне замовлення: 8983
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.46 грн
9000+ 1.24 грн
24000+ 1.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.53 грн
6000+ 1.4 грн
9000+ 1.19 грн
30000+ 1.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7043+1.72 грн
12196+ 0.99 грн
12296+ 0.98 грн
12397+ 0.94 грн
15000+ 0.86 грн
30000+ 0.82 грн
Мінімальне замовлення: 7043
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1001074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
130+4.61 грн
181+ 3.31 грн
184+ 3.25 грн
297+ 1.95 грн
299+ 1.79 грн
500+ 1.37 грн
1000+ 0.79 грн
3000+ 0.78 грн
Мінімальне замовлення: 130
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 55959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.05 грн
48+ 6.1 грн
100+ 3.27 грн
500+ 2.41 грн
1000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1001074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+10.48 грн
114+ 6.86 грн
243+ 3.23 грн
500+ 2.94 грн
Мінімальне замовлення: 75
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : onsemi DTC143Z_D-2310985.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 127627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+11.38 грн
40+ 8.09 грн
100+ 4.46 грн
1000+ 1.95 грн
3000+ 1.67 грн
9000+ 1.32 грн
24000+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 29
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMUN2233LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2233LT1G ONS TMMUN2233
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2233.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2233.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній