Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2231LT1G
MMUN2231LT1G

MMUN2231LT1G ON Semiconductor

dtc123e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2231LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMUN2231LT1G за ціною від 0.92 грн до 11.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G Виробник : onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.53 грн
6000+ 1.4 грн
9000+ 1.19 грн
30000+ 1.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.72 грн
9000+ 1.27 грн
24000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.85 грн
9000+ 1.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6522+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 6522
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6073+1.99 грн
9000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 6073
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G Виробник : ONSEMI 2355437.pdf Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2231.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+3.21 грн
260+ 1.42 грн
500+ 1.27 грн
785+ 1.07 грн
Мінімальне замовлення: 125
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2231.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+3.85 грн
155+ 1.77 грн
500+ 1.52 грн
785+ 1.28 грн
2160+ 1.21 грн
Мінімальне замовлення: 75
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G Виробник : onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 54844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.05 грн
48+ 6.1 грн
100+ 3.27 грн
500+ 2.41 грн
1000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G Виробник : ONSEMI 2355437.pdf Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+9.77 грн
118+ 6.65 грн
286+ 2.74 грн
500+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 80
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G Виробник : onsemi DTC123E_D-2310857.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 28065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+11.38 грн
40+ 8.09 грн
100+ 4.46 грн
1000+ 1.95 грн
3000+ 1.67 грн
9000+ 1.32 грн
24000+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 29
MMUN2231LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2231LT1G TMMUN2231
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 700
MMUN2231LT1G
Код товару: 130507 		dtc123e-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній