MMUN2215LT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 9.02 грн |
| 48+ | 6.08 грн |
| 100+ | 3.26 грн |
| 500+ | 2.41 грн |
| 1000+ | 1.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMUN2215LT1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 400 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms.
Інші пропозиції MMUN2215LT1G за ціною від 1.13 грн до 11.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMUN2215LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2215LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2215LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMUN2215LT1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 34689 шт: термін постачання 77-86 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2215LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MMUN2215LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2392652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MMUN2215LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMUN2215LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMUN2215LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMUN2215LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.246W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMUN2215LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 400 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMUN2215LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.246W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN |
товар відсутній |