MMUN2214LT1G ON Semiconductor
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMUN2214LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMUN2214LT1G за ціною від 0.78 грн до 12.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMUN2214LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 273000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 273000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 52593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 38790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 37632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 38790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 52593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 62881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : On Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
на замовлення 3193 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
MMUN2214LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |