Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN) ON
MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN)

MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN) ON

MMUN2211LT1-D.PDF
Код товару: 28336
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 60
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності 2121 шт:
1415 шт - склад
273 шт - РАДІОМАГ-Київ
120 шт - РАДІОМАГ-Львів
75 шт - РАДІОМАГ-Харків
115 шт - РАДІОМАГ-Одеса
123 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
34+1.5 грн
42+ 1.2 грн
100+ 0.95 грн
1000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 34
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN) за ціною від 0.74 грн до 12.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 789000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30000+0.83 грн
150000+ 0.74 грн
Мінімальне замовлення: 30000
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 789000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.27 грн
9000+ 0.96 грн
45000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : ONSEMI 1813827.pdf Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.31 грн
9000+ 1.02 грн
24000+ 0.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.12 грн
6000+ 1.93 грн
9000+ 1.64 грн
30000+ 1.42 грн
75000+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+2.19 грн
250+ 1.58 грн
500+ 1.27 грн
750+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 200
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+2.63 грн
150+ 1.97 грн
500+ 1.52 грн
750+ 1.37 грн
2050+ 1.29 грн
3000+ 1.27 грн
12000+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 125
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 160235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+5.03 грн
181+ 3.31 грн
202+ 2.98 грн
387+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 120
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+8.36 грн
102+ 5.91 грн
120+ 4.99 грн
223+ 2.59 грн
250+ 2.37 грн
500+ 2.25 грн
1000+ 1.35 грн
Мінімальне замовлення: 72
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 160235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+10.32 грн
117+ 6.73 грн
269+ 2.92 грн
500+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 76
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 298224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+11.38 грн
40+ 8.09 грн
100+ 4.46 грн
1000+ 1.95 грн
3000+ 1.67 грн
9000+ 1.32 грн
24000+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 29
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 122579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.06 грн
35+ 8.42 грн
100+ 4.52 грн
500+ 3.33 грн
1000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMUN2211LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc114e-d.pdf NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 705 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній

З цим товаром купують

MMUN2111
Код товару: 4078		 MMUN2111.pdf
MMUN2111
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 60
Примітка: Цифровий транзистор
у наявності: 1970 шт
Кількість Ціна без ПДВ
25+2 грн
34+ 1.5 грн
100+ 1.2 грн
1000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRLML2402TRPBF
Код товару: 1173		 irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 4851 шт
Кількість Ціна без ПДВ
15+3.5 грн
18+ 2.9 грн
100+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 15
BC817-40 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 17873		 BC817-40.pdf
BC817-40 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
у наявності: 17668 шт
Кількість Ціна без ПДВ
34+1.5 грн
56+ 0.9 грн
100+ 0.8 грн
1000+ 0.6 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2232LT1G
Код товару: 34988		 MMUN2232LT1G.pdf
MMUN2232LT1G
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 30
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності: 2895 шт
Кількість Ціна без ПДВ
25+2 грн
32+ 1.6 грн
100+ 1.2 грн
1000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 25
PDTC143ET.215
Код товару: 55983		 pdtc143e_ser-datasheet.pdf
PDTC143ET.215
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Монтаж: SMD
у наявності: 371 шт
очікується: 4000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
25+2 грн
36+ 1.4 грн
100+ 1.1 грн
1000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 25