Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2111LT1G
MMUN2111LT1G

MMUN2111LT1G ON Semiconductor

dta114e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2111LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMUN2111LT1G за ціною від 0.75 грн до 11.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.91 грн
12000+ 0.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Виробник : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 411000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.54 грн
6000+ 1.4 грн
9000+ 1.19 грн
30000+ 1.04 грн
75000+ 0.9 грн
150000+ 0.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 62142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4412+2.74 грн
7247+ 1.67 грн
11112+ 1.09 грн
11195+ 1.04 грн
15000+ 0.95 грн
30000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 4412
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Виробник : ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 69290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Виробник : ONSEMI DTA114E_MUNx111.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
на замовлення 6088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
133+2.94 грн
237+ 1.53 грн
500+ 1.23 грн
789+ 1.07 грн
2170+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 133
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Виробник : ONSEMI DTA114E_MUNx111.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6088 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+3.53 грн
143+ 1.91 грн
500+ 1.48 грн
789+ 1.28 грн
2170+ 1.21 грн
Мінімальне замовлення: 80
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 62142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
78+7.73 грн
108+ 5.56 грн
109+ 5.5 грн
225+ 2.58 грн
250+ 2.29 грн
500+ 2.18 грн
1000+ 1.33 грн
3000+ 0.87 грн
6000+ 0.86 грн
Мінімальне замовлення: 78
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Виробник : onsemi DTA114E_D-2310690.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 77356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+8.29 грн
55+ 5.85 грн
115+ 2.44 грн
1000+ 1.39 грн
3000+ 1.25 грн
9000+ 0.91 грн
45000+ 0.84 грн
Мінімальне замовлення: 40
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Виробник : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 415126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.05 грн
48+ 6.1 грн
100+ 3.28 грн
500+ 2.42 грн
1000+ 1.68 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Виробник : ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 69290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
71+11.1 грн
118+ 6.66 грн
250+ 3.13 грн
500+ 2.85 грн
Мінімальне замовлення: 71
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMUN2111LT1G Виробник : ON-Semicoductor dta114e-d.pdf PNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2111LT1G TMMUN2111lt1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
600+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 600
MMUN2111LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0005578147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3696100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G
Код товару: 49208 		dta114e-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній