![MMSD914T1G MMSD914T1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/9/4/13/36/17/373/ons_/manual/mmsz5272bt1.jpg)
MMSD914T1G ON Semiconductor
на замовлення 147004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMSD914T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMSD914T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-123, Durchlassstoßstrom: 500mA, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: MMSD9, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMSD914T1G за ціною від 0.76 грн до 11.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMSD914T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMSD914T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMSD914T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMSD914T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMSD914T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSD9 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 57218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMSD914T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 4ns; SOD123; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 4pF Case: SOD123 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.425W |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMSD914T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
на замовлення 201842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMSD914T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 149018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMSD914T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSD9 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 57218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMSD914T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 4ns; SOD123; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 4pF Case: SOD123 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.425W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMSD914T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
MMSD914T1G |
![]() |
на замовлення 480 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMSD914T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
MMSD914T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |