![MMIX2F60N50P3 MMIX2F60N50P3](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/49/37/B0/00/0/750484_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=62194f9aac5868669747047f704a89cb43071c79)
MMIX2F60N50P3 IXYS
![littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix2f60n50p3_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolar; 500V; 30A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 320W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2319.4 грн |
20+ | 2118.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMIX2F60N50P3 IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD, Packaging: Tube, Package / Case: 24-SMD Module, 9 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 320W, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 30A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: 24-SMPD, Part Status: Active.
Інші пропозиції MMIX2F60N50P3 за ціною від 2640.56 грн до 2783.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() +1 |
MMIX2F60N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolar; 500V; 30A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 320W Case: SMPD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
MMIX2F60N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 24-SMD Module, 9 Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320W Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: 24-SMPD Part Status: Active |
товар відсутній |
||||||||
MMIX2F60N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |