MMDT5451-7-F Diodes Zetex
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
189+ | 3.19 грн |
192+ | 3.14 грн |
195+ | 3.1 грн |
199+ | 2.94 грн |
250+ | 2.68 грн |
500+ | 2.53 грн |
1000+ | 2.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMDT5451-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MMDT5451-7-F за ціною від 2.91 грн до 31.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMDT5451-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 160/150V Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 160/150V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 219576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 160/150V Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 160/150V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 285 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 160 / 160V 200mW |
на замовлення 56875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 2518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMDT5451-7-F | Виробник : Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |