на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMDT2227-7-F Diodes Inc
Description: DIODES INC. - MMDT2227-7-F - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Verlustleistung, PNP: 200mW, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-363, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, rohsCompliant: YES, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Verlustleistung, NPN: 200mW, Qualifikation: -, Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, Transistormontage: Oberflächenmontage, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMDT2227-7-F за ціною від 3.49 грн до 32.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMDT2227-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 204000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMDT2227-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN/PNP 40V/60V SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMDT2227-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMDT2227-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMDT2227-7-F - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, PNP: 200mW DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-363 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE Dauer-Kollektorstrom: 600mA euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW rohsCompliant: YES Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Verlustleistung, NPN: 200mW Qualifikation: - Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V Transistormontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMDT2227-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMDT2227-7-F - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMDT2227-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 40 / 60V 200mW |
на замовлення 32008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMDT2227-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 40V/60V SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 223665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMDT2227-7-F | Виробник : DIODES |
|
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
MMDT2227-7-F Код товару: 142966 |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-363 Примітка: NPN/PNP Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
MMDT2227-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |