![MMBZ5257BLT1G MMBZ5257BLT1G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/cdbbcd5b550f69cb57198f33704acb75e5ea1be2/sot-23.jpg)
MMBZ5257BLT1G ON Semiconductor
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8983+ | 1.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBZ5257BLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBZ5257BLT1G - Zener-Diode, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Zener-Spannung, nom.: 33V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBZ5257BLT1G за ціною від 1.08 грн до 12.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V Impedance (Max) (Zzt): 58 Ohms Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Power - Max: 225 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 33V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 27097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Zener; 0.225W; 33V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.225W Zener voltage: 33V Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.1µA |
на замовлення 35799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Zener; 0.225W; 33V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.225W Zener voltage: 33V Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35799 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 58600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 58600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V Impedance (Max) (Zzt): 58 Ohms Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Power - Max: 225 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V |
на замовлення 72363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 33V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 27097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ5257BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |