![MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/cdbbcd5b550f69cb57198f33704acb75e5ea1be2/sot-23.jpg)
MMBZ33VALT1G ON Semiconductor
![mmbz5v6alt1-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 26V 33Vbr 46Vc 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5191+ | 2.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBZ33VALT1G ON Semiconductor
Description: DIODE ZENER 26V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Voltage - Breakdown (Min): 31.35V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Tolerance: ±5%, Configuration: 1 Pair Common Anode, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 26 V, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 26 V.
Інші пропозиції MMBZ33VALT1G за ціною від 1.53 грн до 17.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 31.35V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Tolerance: ±5% Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 26 V Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 26 V |
на замовлення 31386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 33V; 0.87A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 33V Max. forward impulse current: 0.87A Peak pulse power dissipation: 40W Semiconductor structure: common anode; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 26V Features of semiconductor devices: ESD protection Leakage current: 50nA Kind of package: reel; tape Tolerance: ±5% |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 33V; 0.87A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 33V Max. forward impulse current: 0.87A Peak pulse power dissipation: 40W Semiconductor structure: common anode; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 26V Features of semiconductor devices: ESD protection Leakage current: 50nA Kind of package: reel; tape Tolerance: ±5% кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 31.35V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 34.65V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 26V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 46V |
на замовлення 40445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Configuration: 1 Pair Common Anode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V Voltage - Zener (Nom) (Vz): 26 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 31.35V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 26 V |
на замовлення 31386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 237993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 31.35V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 34.65V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 26V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 46V |
на замовлення 40445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MMBZ33VALT1G Код товару: 200057 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ33VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |