![MMBZ20VALT1G MMBZ20VALT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
MMBZ20VALT1G ON Semiconductor
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBZ20VALT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 19V, Qualifikation: -, Durchbruchspannung, max.: 21V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 17V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 40W, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Klemmspannung, max.: 28V.
Інші пропозиції MMBZ20VALT1G за ціною від 1.07 грн до 18.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBZ20VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.4A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 19V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ20VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 19V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 21V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 17V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 28V |
на замовлення 14736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ20VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 20V; 1.4A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common anode; double Max. off-state voltage: 17V Features of semiconductor devices: ESD protection Breakdown voltage: 20V Max. forward impulse current: 1.4A Type of diode: TVS array Tolerance: ±5% Peak pulse power dissipation: 40W Leakage current: 50nA |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ20VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 20V; 1.4A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common anode; double Max. off-state voltage: 17V Features of semiconductor devices: ESD protection Breakdown voltage: 20V Max. forward impulse current: 1.4A Type of diode: TVS array Tolerance: ±5% Peak pulse power dissipation: 40W Leakage current: 50nA кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ20VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.4A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 19V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No |
на замовлення 30638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ20VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 19V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 21V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 17V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 28V |
на замовлення 14736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ20VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 217308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MMBZ20VALT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
MMBZ20VALT1G Код товару: 119534 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ20VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBZ20VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBZ20VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBZ20VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBZ20VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |