![MMBZ18VALT1G MMBZ18VALT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
MMBZ18VALT1G ON Semiconductor
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBZ18VALT1G ON Semiconductor
Description: DIODE ZENER 14.5V SOT23-3, Tolerance: ±5%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Configuration: 1 Pair Common Anode, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.5 V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 17.1V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 14.5 V.
Інші пропозиції MMBZ18VALT1G за ціною від 1.38 грн до 16.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Configuration: 1 Pair Common Anode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.5 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 17.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 14.5 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 18V; 1.6A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 18V Max. forward impulse current: 1.6A Peak pulse power dissipation: 40W Semiconductor structure: common anode; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 14.5V Features of semiconductor devices: ESD protection Leakage current: 50nA Kind of package: reel; tape Tolerance: ±5% |
на замовлення 5415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 17.1V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 18.9V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 14.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 25V |
на замовлення 8883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 18V; 1.6A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 18V Max. forward impulse current: 1.6A Peak pulse power dissipation: 40W Semiconductor structure: common anode; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 14.5V Features of semiconductor devices: ESD protection Leakage current: 50nA Kind of package: reel; tape Tolerance: ±5% кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5415 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 17.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Tolerance: ±5% Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.5 V Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 14.5 V |
на замовлення 23412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 58340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 17.1V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 18.9V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 14.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 25V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBZ18VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |