![MMBZ15VALT1G MMBZ15VALT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
MMBZ15VALT1G ON Semiconductor
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBZ15VALT1G ON Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.9A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Voltage - Breakdown (Min): 14.25V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Tolerance: ±5%, Configuration: 1 Pair Common Anode, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 12 V.
Інші пропозиції MMBZ15VALT1G за ціною від 1.57 грн до 18.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBZ15VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 348000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ15VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.9A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 14.25V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Tolerance: ±5% Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 12 V |
на замовлення 53000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ15VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ15VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ15VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ15VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 14.25V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 15.75V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 12V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 21V |
на замовлення 32840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ15VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ15VALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ15VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Configuration: 1 Pair Common Anode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.9A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 14.25V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 12 V |
на замовлення 53526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ15VALT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 31209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ15VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 14.25V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 15.75V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 12V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 21V |
на замовлення 32840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
MMBZ15VALT1G Код товару: 132350 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ15VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Semiconductor structure: common anode; double Leakage current: 50nA Features of semiconductor devices: ESD protection Peak pulse power dissipation: 40W Max. off-state voltage: 12V Max. forward impulse current: 1.9A Breakdown voltage: 15V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ15VALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Semiconductor structure: common anode; double Leakage current: 50nA Features of semiconductor devices: ESD protection Peak pulse power dissipation: 40W Max. off-state voltage: 12V Max. forward impulse current: 1.9A Breakdown voltage: 15V |
товар відсутній |