MMBZ12VALT1G ON Semiconductor
Виробник: ON SemiconductorESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 12Vbr 17Vc 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBZ12VALT1G ON Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.5V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 11.4V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Tolerance: ±5%, Configuration: 1 Pair Common Anode, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.5 V, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V.
Інші пропозиції MMBZ12VALT1G за ціною від 1.08 грн до 19.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBZ12VALT1G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE ZENER 8.5V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Tolerance: ±5% Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.5 V Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBZ12VALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 11.4V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 12.6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 8.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 17V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBZ12VALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Features of semiconductor devices: ESD protection Peak pulse power dissipation: 40W Case: SOT23 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 8.5V Semiconductor structure: common anode; double Max. forward impulse current: 2.35A Breakdown voltage: 12V Leakage current: 0.2µA |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBZ12VALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Features of semiconductor devices: ESD protection Peak pulse power dissipation: 40W Case: SOT23 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 8.5V Semiconductor structure: common anode; double Max. forward impulse current: 2.35A Breakdown voltage: 12V Leakage current: 0.2µA кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBZ12VALT1G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE ZENER 8.5V SOT23-3 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Configuration: 1 Pair Common Anode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.5 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V |
на замовлення 44893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBZ12VALT1G | Виробник : onsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes 12V Dual Zener Common Anode |
на замовлення 56457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBZ12VALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 11.4V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 12.6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 8.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 17V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBZ12VALT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
12V; 40W; 12V; 40W; MMBZ12VALT1G SOT-23 DTMMBZ12VALT1G кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|