Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBTH10LT1G ON
MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G ON

datasheet-mmbth10lt1g.pdf
Код товару: 175304
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
fT: 650 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 30 V
Монтаж: SMD
у наявності 213 шт:
130 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
49 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна без ПДВ
17+3 грн
20+ 2.5 грн
100+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 17
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBTH10LT1G за ціною від 1.86 грн до 23.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.31 грн
6000+ 2.78 грн
15000+ 2.36 грн
30000+ 2.08 грн
75000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
107+3.67 грн
122+ 3 грн
371+ 2.29 грн
1021+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 107
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
64+4.41 грн
100+ 3.74 грн
371+ 2.75 грн
1021+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 64
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2239+5.4 грн
2263+ 5.34 грн
2359+ 5.12 грн
3465+ 3.36 грн
3948+ 2.73 грн
6000+ 2.25 грн
15000+ 1.89 грн
Мінімальне замовлення: 2239
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+17.57 грн
50+ 12.04 грн
51+ 11.8 грн
120+ 4.83 грн
250+ 4.43 грн
500+ 4.08 грн
1000+ 2.78 грн
3000+ 2.44 грн
6000+ 2.09 грн
Мінімальне замовлення: 35
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 116076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.85 грн
20+ 14.88 грн
25+ 12.49 грн
100+ 7.43 грн
250+ 5.73 грн
500+ 4.88 грн
1000+ 3.27 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi MMBTH10LT1_D-2315986.pdf Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 14095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+19.68 грн
26+ 12.42 грн
100+ 5.02 грн
1000+ 3.35 грн
3000+ 2.65 грн
9000+ 2.23 грн
24000+ 2.09 грн
Мінімальне замовлення: 17
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+23.45 грн
60+ 13.13 грн
104+ 7.52 грн
500+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809649-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1017719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MMBTH10LT1G--
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній

З цим товаром купують

DP-25C (DSC-225) (корпус до роз'єму)
Код товару: 11349
DP-25C (DSC-225) (корпус до роз'єму)
Виробник: CviLux
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інтерфейсні (D-SUB та ін.)
Вилка або розетка: Деталі роз'ємів, корпуси
К-сть контактів: 25
Серія: DB
у наявності: 61 шт
Кількість Ціна без ПДВ
5+12 грн
10+ 11 грн
Мінімальне замовлення: 5
1000uF 25V EHR 13x21mm (EHR102M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2989		 EHR_081225.pdf
1000uF 25V EHR 13x21mm (EHR102M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1 шт
очікується: 1600 шт
Кількість Ціна без ПДВ
8+6.5 грн
10+ 5.8 грн
100+ 5.2 грн
1000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
PDTC114ET (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 2553		 PDTC114ET.pdf
PDTC114ET (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
Монтаж: SMD
у наявності: 3085 шт
Кількість Ціна без ПДВ
20+2.5 грн
28+ 1.8 грн
100+ 1.3 грн
1000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 20
BAT17-04
Код товару: 1668		 BAT17-.pdf
BAT17-04
Виробник: Infineon
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOT-23
Зворотня напруга, Vrrm: 4 V
Прямий струм (per leg), If: 0,13 A
Падіння напруги, Vf: 0,6 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, послідовне з'єднання.
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
у наявності: 296 шт
очікується: 5 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+5 грн
11+ 4.6 грн
100+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLML2402TRPBF
Код товару: 1173		 irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 4851 шт
Кількість Ціна без ПДВ
15+3.5 грн
18+ 2.9 грн
100+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 15