на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1250+ | 1.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTH10-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MMBTH10-7-F за ціною від 2.13 грн до 23.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBTH10-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active |
на замовлення 25472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW |
на замовлення 6876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Виробник : Diodes Inc | Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 50mA; 300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 50mA; 300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz |
товару немає в наявності |