MMBTH10-4LT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.32 грн |
| 6000+ | 1.94 грн |
| 15000+ | 1.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTH10-4LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 999A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 800MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBTH10-4LT1G за ціною від 1.74 грн до 21.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBTH10-4LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 999A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 800MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTH10-4LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTH10-4LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 800MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
на замовлення 43537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTH10-4LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTH10-4LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN |
на замовлення 334962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTH10-4LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 999A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 800MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBTH10-4LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
MMBTH10-4LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
MMBTH10-4LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |