![MMBTA63LT1G MMBTA63LT1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5883/488%7E318-08%7EET%2CL%2CLT%2CSF%2CSN%7E3.jpg)
MMBTA63LT1G onsemi
![mmbta63lt1-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.58 грн |
6000+ | 2.3 грн |
9000+ | 1.91 грн |
30000+ | 1.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA63LT1G onsemi
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції MMBTA63LT1G за ціною від 1.67 грн до 16.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBTA63LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBTA63LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBTA63LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 42030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBTA63LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 21616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBTA63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |