на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA55-7-F Diodes Inc
Description: DIODES INC. - MMBTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBTA55-7-F за ціною від 1.41 грн до 18.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBTA55-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA55-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA55-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 264000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA55-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA55-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 268855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA55-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V 300mW |
на замовлення 49076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA55-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA55-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MMBTA55-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MMBTA55-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MMBTA55-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMBTA55-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 500mA; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBTA55-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 500mA; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
товар відсутній |