![MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/cdbbcd5b550f69cb57198f33704acb75e5ea1be2/sot-23.jpg)
MMBTA42LT1G ON Semiconductor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30000+ | 1.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA42LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBTA42LT1G за ціною від 1.42 грн до 16.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBTA42LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 83543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 516000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBTA42LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 119117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBTA42LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 83748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBTA42LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 167578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBTA42LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 119117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 54 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBTA42LT1G | Виробник : On Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBTA42LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBTA42LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
товар відсутній |