![MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
MMBTA06LT1G ON Semiconductor
на замовлення 1191779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30000+ | 0.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA06LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBTA06LT1G за ціною від 0.83 грн до 15.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1221000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1221000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 6150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 6150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 144812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 256850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 130195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 52150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 52150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 144812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MMBTA06LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA06LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 46 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
MMBTA06LT1G Код товару: 164531 |
Виробник : ON |
![]() Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 0,5 A Монтаж: SMD |
товар відсутній
|