MMBTA06LT1G

MMBTA06LT1G ON Semiconductor


mmbta05lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1191779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 30000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA06LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBTA06LT1G за ціною від 0.83 грн до 15.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
315+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 315
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30000+1.1 грн
Мінімальне замовлення: 30000
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 30000
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.75 грн
6000+ 1.59 грн
9000+ 1.35 грн
30000+ 1.18 грн
75000+ 1.02 грн
150000+ 0.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6225+1.94 грн
840000+ 1.77 грн
1680000+ 1.65 грн
2520000+ 1.5 грн
Мінімальне замовлення: 6225
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1221000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.12 грн
9000+ 1.6 грн
24000+ 1.06 грн
48000+ 1.02 грн
99000+ 0.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1221000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5282+2.29 грн
9000+ 1.72 грн
24000+ 1.14 грн
48000+ 1.1 грн
99000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 5282
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ONSEMI mmbta05.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+2.35 грн
200+ 1.96 грн
500+ 1.73 грн
550+ 1.57 грн
1500+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 175
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ONSEMI mmbta05.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+2.81 грн
125+ 2.44 грн
500+ 2.07 грн
550+ 1.88 грн
1500+ 1.79 грн
12000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2989+4.04 грн
4055+ 2.98 грн
5173+ 2.34 грн
9000+ 1.53 грн
24000+ 0.95 грн
48000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 2989
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ONSEMI 1842125.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 144812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 256850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+9.8 грн
43+ 6.9 грн
100+ 3.72 грн
500+ 2.74 грн
1000+ 1.91 грн
Мінімальне замовлення: 31
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+12.43 грн
68+ 8.83 грн
161+ 3.72 грн
1000+ 2.47 грн
3000+ 1.74 грн
9000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 49
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+13.4 грн
63+ 9.57 грн
160+ 3.76 грн
1000+ 2.67 грн
3000+ 1.94 грн
9000+ 1.26 грн
24000+ 0.85 грн
48000+ 0.84 грн
99000+ 0.83 грн
Мінімальне замовлення: 45
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : onsemi MMBTA05LT1_D-2316070.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
на замовлення 130195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+13.58 грн
34+ 9.54 грн
100+ 3.55 грн
1000+ 2.37 грн
3000+ 1.88 грн
9000+ 1.6 грн
24000+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+13.68 грн
100+ 13.18 грн
250+ 12.18 грн
500+ 11.68 грн
1000+ 11.66 грн
3000+ 11.65 грн
6000+ 11.63 грн
Мінімальне замовлення: 44
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
823+14.69 грн
824+ 14.68 грн
1000+ 14.65 грн
3000+ 14.11 грн
6000+ 13.05 грн
15000+ 12.5 грн
30000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 823
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ONSEMI 1842125.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 144812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
52+15.32 грн
72+ 10.87 грн
174+ 4.5 грн
500+ 4.09 грн
Мінімальне замовлення: 52
MMBTA06LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbta05lt1-d.pdf Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTA06LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbta05lt1-d.pdf Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 80; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
на замовлення 46 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+13.57 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 46
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTA06LT1G
Код товару: 164531
Виробник : ON MMBTA05LT1_D-2316070.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: SMD
товар відсутній