Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA05LT1G
MMBTA05LT1G

MMBTA05LT1G ON Semiconductor

mmbta05lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA05LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBTA05LT1G за ціною від 1.08 грн до 14.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.38 грн
6000+ 2.12 грн
9000+ 1.76 грн
30000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ONSEMI MMBTA05L_06L.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
130+3.1 грн
155+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 130
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ONSEMI MMBTA05L_06L.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+3.72 грн
100+ 3 грн
455+ 2.22 грн
500+ 2.21 грн
1250+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 80
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ONSEMI 2353756.pdf Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.1 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : onsemi MMBTA05LT1_D-2316070.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN
на замовлення 7386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.85 грн
32+ 10.02 грн
100+ 3.62 грн
1000+ 2.51 грн
3000+ 2.02 грн
9000+ 1.6 грн
24000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 26
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ONSEMI 1708287.pdf Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+13.45 грн
71+ 11.1 грн
174+ 4.51 грн
500+ 4.1 грн
Мінімальне замовлення: 59
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 69884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+14.32 грн
32+ 9.36 грн
100+ 4.56 грн
500+ 3.57 грн
1000+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 22
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBTA05LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA05-7-F MMBTA05-TP MMBTA05LT1G MMBTA05LT3G MMBTA05 TMMBTA05
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MMBTA05LT1G Виробник : ONS mmbta05lt1-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=60V; Ic=0,5A; f=100MHz; Pdmax=0,225W; hfemin=100@100mA,1V
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.63 грн
50+ 5.34 грн
100+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній