MMBT6520LT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.11 грн |
| 6000+ | 3.78 грн |
| 9000+ | 3.27 грн |
| 30000+ | 3.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT6520LT1G onsemi
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції MMBT6520LT1G за ціною від 2.51 грн до 24.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT6520LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 15...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT6520LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 15...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2825 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT6520LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT6520LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 40118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT6520LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT6520LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP |
на замовлення 213007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
MMBT6520LT1G Код товару: 147958 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |