Продукція > PANJIT > MMBT5551W_R1_00701
MMBT5551W_R1_00701

MMBT5551W_R1_00701 Panjit

MMBT5551W-3359524.pdf Виробник: Panjit
Bipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
на замовлення 29790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+12.4 грн
37+ 8.94 грн
100+ 4.92 грн
1000+ 2.21 грн
3000+ 1.85 грн
9000+ 1.43 грн
24000+ 1.35 грн
Мінімальне замовлення: 27
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551W_R1_00701 Panjit

Description: NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції MMBT5551W_R1_00701 за ціною від 1.81 грн до 13.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT5551W_R1_00701 Виробник : Panjit International Inc. MMBT5551W.pdf Description: NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.33 грн
6000+ 2.12 грн
9000+ 1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT5551W_R1_00701 Виробник : Panjit International Inc. MMBT5551W.pdf Description: NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 29744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.89 грн
33+ 9.21 грн
100+ 4.97 грн
500+ 3.66 грн
1000+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 23
MMBT5551W_R1_00701 Виробник : PanJit Semiconductor MMBT5551W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT5551W-R1-00701 Виробник : Panjit Array
товар відсутній
MMBT5551W_R1_00701 Виробник : PanJit Semiconductor MMBT5551W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
товар відсутній