MMBT5551W-AU_R1_007A1 Panjit
на замовлення 29990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.8 грн |
| 24+ | 13.94 грн |
| 100+ | 7.63 грн |
| 1000+ | 3.42 грн |
| 3000+ | 2.35 грн |
| 9000+ | 1.93 грн |
| 24000+ | 1.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5551W-AU_R1_007A1 Panjit
Description: NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 200 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції MMBT5551W-AU_R1_007A1 за ціною від 1.91 грн до 16.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT5551W-AU_R1_007A1 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MMBT5551W-AU_R1_007A1 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MMBT5551W-AU_R1_007A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| MMBT5551W-AU_R1_007A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Application: automotive industry |
товар відсутній |