Продукція > ONSEMI > MMBT5551M3T5G
MMBT5551M3T5G

MMBT5551M3T5G onsemi

mmbt5551m3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+2.02 грн
16000+ 1.75 грн
24000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 8000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551M3T5G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT5551M3T5G за ціною від 1.17 грн до 15.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G Виробник : ON Semiconductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3025+3.99 грн
3055+ 3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3025
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G Виробник : ON Semiconductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+8.63 грн
82+ 7.35 грн
85+ 7.08 грн
160+ 3.6 грн
250+ 3.3 грн
500+ 3.14 грн
1000+ 1.78 грн
3000+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 70
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G Виробник : onsemi mmbt5551m3-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 36399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.03 грн
41+ 7.1 грн
100+ 4.35 грн
500+ 2.97 грн
1000+ 2.61 грн
2000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 25
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G Виробник : onsemi MMBT5551M3_D-2315985.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
на замовлення 26202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+13.55 грн
34+ 9.67 грн
100+ 3.82 грн
1000+ 2.22 грн
2500+ 2.02 грн
8000+ 1.74 грн
24000+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
52+15.05 грн
72+ 10.84 грн
Мінімальне замовлення: 52
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBT5551M3T5G Виробник : ON-Semicoductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 MMBT5551M3T5G TMMBT5551m3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G Виробник : ON Semiconductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G Виробник : ON Semiconductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній