MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G ON Semiconductor


mmbt5550lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 27000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT5551LT1G за ціною від 0.88 грн до 13.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 27000
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 27000
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 954000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.88 грн
6000+ 1.71 грн
9000+ 1.35 грн
24000+ 1.18 грн
30000+ 1.08 грн
45000+ 0.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1209000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6356+1.9 грн
300000+ 1.74 грн
600000+ 1.62 грн
900000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 6356
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 954000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5977+2.02 грн
6551+ 1.84 грн
9000+ 1.45 грн
24000+ 1.27 грн
30000+ 1.16 грн
45000+ 0.95 грн
Мінімальне замовлення: 5977
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 614660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.06 грн
6000+ 1.88 грн
9000+ 1.6 грн
30000+ 1.39 грн
75000+ 1.2 грн
150000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 172501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3145+3.84 грн
3394+ 3.56 грн
5034+ 2.4 грн
5301+ 2.2 грн
6000+ 1.93 грн
15000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3145
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Power dissipation: 0.225/0.3W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+10.16 грн
58+ 6.32 грн
109+ 3.35 грн
500+ 2.23 грн
548+ 1.56 грн
1505+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 39
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
57+10.55 грн
77+ 7.85 грн
84+ 7.17 грн
166+ 3.48 грн
250+ 3.19 грн
500+ 2.83 грн
1000+ 1.91 грн
3000+ 1.81 грн
6000+ 1.72 грн
Мінімальне замовлення: 57
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 614916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.06 грн
36+ 8.13 грн
100+ 4.4 грн
500+ 3.24 грн
1000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 25
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi MMBT5550LT1_D-2315984.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 138974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+12.11 грн
42+ 7.77 грн
100+ 3.28 грн
1000+ 2.02 грн
3000+ 1.67 грн
9000+ 1.32 грн
24000+ 1.18 грн
Мінімальне замовлення: 27
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Power dissipation: 0.225/0.3W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+12.2 грн
35+ 7.87 грн
100+ 4.02 грн
500+ 2.67 грн
548+ 1.87 грн
1505+ 1.77 грн
6000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 24
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 172501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
58+13.6 грн
84+ 9.38 грн
189+ 4.15 грн
500+ 3.77 грн
Мінімальне замовлення: 58
MMBT5551LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 8361 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT5551LT1G Виробник : On Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 5 дні (днів)